Транзистор 2508df чем заменить
Транзистор 2508df чем заменить
Наименование производителя: BU2508DF
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 90 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 7
BU2508DF Datasheet (PDF)
0.1. bu2508df.pdf Size:72K _philips
Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2508DF GENERAL DESCRIPTIONEnhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with an integrateddamper diode in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour televisionreceivers. Features exceptional tolerance to base drive an
0.2. bu2508df.pdf Size:213K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor BU2508DFDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 700V (Min)CEO(SUS)High Switching SpeedBuilt-in Damper DiodeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection circuits ofcolor TV receivers.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBO
7.1. bu2508dw.pdf Size:54K _philips
Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2508DW GENERAL DESCRIPTIONEnhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with an integrateddamper diode in a plastic envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers.Features exceptional tolerance to base drive and collecto
7.2. bu2508dx.pdf Size:73K _philips
Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2508DX GENERAL DESCRIPTIONEnhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with an integrateddamper diode in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour televisionreceivers. Features exceptional tolerance to base drive an
Транзистор 2508df чем заменить
Наименование производителя: BU2508D
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 90 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 7
BU2508D Datasheet (PDF)
0.1. bu2508dw.pdf Size:54K _philips
Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2508DW GENERAL DESCRIPTIONEnhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with an integrateddamper diode in a plastic envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers.Features exceptional tolerance to base drive and collecto
0.2. bu2508dx.pdf Size:73K _philips
Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2508DX GENERAL DESCRIPTIONEnhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with an integrateddamper diode in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour televisionreceivers. Features exceptional tolerance to base drive an
0.3. bu2508df.pdf Size:72K _philips
Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2508DF GENERAL DESCRIPTIONEnhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with an integrateddamper diode in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour televisionreceivers. Features exceptional tolerance to base drive an
Транзистор 2508df чем заменить
Наименование производителя: BU2508DX
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 90 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 7
Корпус транзистора: ISO218
BU2508DX Datasheet (PDF)
0.1. bu2508dx.pdf Size:73K _philips
Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2508DX GENERAL DESCRIPTIONEnhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with an integrateddamper diode in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour televisionreceivers. Features exceptional tolerance to base drive an
0.2. bu2508dx.pdf Size:217K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor BU2508DXDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 700V (Min)CEO(SUS)High Switching SpeedBuilt-in Damper DiodeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection circuits ofcolor TV receivers.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBO
7.1. bu2508dw.pdf Size:54K _philips
Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2508DW GENERAL DESCRIPTIONEnhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with an integrateddamper diode in a plastic envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers.Features exceptional tolerance to base drive and collecto
7.2. bu2508df.pdf Size:72K _philips
Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2508DF GENERAL DESCRIPTIONEnhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with an integrateddamper diode in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour televisionreceivers. Features exceptional tolerance to base drive an
Транзистор 2508df чем заменить
Наименование производителя: BU2508AF
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 90 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 4
BU2508AF Datasheet (PDF)
0.1. bu2508af.pdf Size:82K _philips
Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2508AF GENERAL DESCRIPTIONEnhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic full-packenvelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers. Features exceptionaltolerance to base drive and collector current load variati
0.2. bu2508af.pdf Size:212K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor BU2508AFDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 700V (Min)CEO(SUS)High Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection circuits ofcolor TV receivers.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV
7.1. bu2508aw 1.pdf Size:61K _philips
Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2508AW GENERAL DESCRIPTIONEnhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic envelopeintended for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers. Features exceptional tolerance tobase drive and collector current load variations result
7.2. bu2508aw.pdf Size:61K _philips
Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2508AW GENERAL DESCRIPTIONEnhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic envelopeintended for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers. Features exceptional tolerance tobase drive and collector current load variations result
7.3. bu2508a 1.pdf Size:58K _philips
Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2508A GENERAL DESCRIPTIONEnhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic envelopeintended for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers. Features exceptional tolerance tobase drive and collector current load variations resulti
Параметры транзистора BU2508DF. Интернет-справочник основных параметров транзисторов.
Высказывания:
Компетентность всегда содержит зерно некомпетентности.
Закон эволюции Питера
Основные параметры транзистора BU2508DF биполярного низкочастотного npn.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn
| Pc max | Ucb max | Uce max | Ueb max | Ic max | Tj max, °C | Ft max | Cc tip | Hfe |
| 45W | 1500V | 700V | 5V | 8A | 150°C | — | 90 | 7MIN |
Производитель: PHILIPS
Сфера применения: Power, TV Deflection
Популярность: 17967
Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора BU2508DF
| Общий вид транзистора BU2508DF. | Цоколевка транзистора BU2508DF. |
 |  |
Коллективный разум. Дополнения для транзистора BU2508DF.
Другие разделы справочника:
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.