Транзистор кп523а чем заменить
Транзистор КТ972А: аналоги, характеристики, схемы, чем заменить
Интересуетесь любительской радиотехникой, то вам пригодится данная статья про аналоги ходовых транзисторов, которые имеют широкое применение в радиотехнике и сравнительно низкую цену. Не всегда в магазине электроники вы можете подобрать нужный вам транзистор, поэтому мы собрали в данной статье информацию о транзисторе КТ972А и его аналогах.
Пьезоэлектрические транзисторы
Такие устройства имеют в своей структуре пьезоэлектрический и пьезорезистивный компоненты. Первый преобразует электрические импульсы в звуковые. Второй — поглощает эти звуковые волны, сжимается и, соответственно, открывает или закрывает транзистор. В качестве пьезорезистивного вещества используется селенид самария (слайд 14) — в зависимости от давления он ведет себя или как полупроводник (с высоким сопротивлением), или как металл.
Одними из первых концепцию пьезоэлектрического транзистора представили в IBM. Инженеры компании занимаются разработками в этой области еще с 2012 года. Также в этом направлении работают их коллеги из Национальной физической лаборатории Великобритании, университета Эдинбурга и Оберна.
Пьезоэлектрический транзистор рассеивает значительно меньшее количество энергии, чем кремниевые устройства. В первую очередь технологию планируют применять в небольших гаджетах, от которых сложно отводить тепло — смартфонах, радиоприборах, радарах.
Также пьезоэлектрические транзисторы могут найти применение в серверных процессорах для дата-центров. Технология повысит энергоэффективность аппаратного обеспечения и позволит сократить расходы операторов ЦОД на ИТ-инфраструктуру.
Туннельные транзисторы
Одной из главных задач производителей полупроводниковых устройств является проектирование транзисторов, которые можно переключать малыми напряжениями. Решить её способны туннельные транзисторы. Такие устройства управляются с помощью квантового туннельного эффекта.
Таким образом, при наложении внешнего напряжения переключение транзистора происходит быстрее, так как электроны с большей вероятностью преодолевают диэлектрический барьер. В результате устройству требуется в несколько раз меньшее напряжение для работы.
Разработкой туннельных транзисторов занимаются ученые из МФТИ и японского университета Тохоку. Они использовали двухслойный графен, чтобы создать устройство, которое работает в 10–100 раз быстрее кремниевых аналогов. По словам инженеров, их технология позволит спроектировать процессоры, которые будут в двадцать раз производительнее современных флагманских моделей.
/ фото PxHere PD
В разное время прототипы туннельных транзисторов реализовывались с использованием различных материалов — помимо графена, ими были нанотрубки и кремний. Однако технология до сих пор не покинула стены лабораторий, и о масштабном производстве устройств на её основе речи не идет.
Характеристики популярных аналогов
Наименование производителя: KT972A
Наименование производителя: WW263
Наименование производителя: U2T833
Наименование производителя: U2T832
Наименование производителя: U2T823
Наименование производителя: U2T6O1
Наименование производителя: U2T605
Наименование производителя: TTD1415B
Спиновые транзисторы
Их работа основана на перемещении спинов электронов. Движутся спины с помощью внешнего магнитного поля, упорядочивающего их в одном направлении и формирующего спиновый ток. Устройства, работающие с таким током, потребляют в сто раз меньше энергии, чем кремниевые транзисторы, и могут переключаться со скоростью миллиард раз в секунду.
Главным достоинством спиновых приборов является их многофункциональность. Они совмещают функции накопителя информации, детектора для её считывания и коммутатора для её передачи другим элементам чипа.
Считается, что первыми концепцию спинового транзистора представили инженеры Суприйо Датта (Supriyo Datta) и Бисваджит Дас (Biswajit Das) в 1990 году. С тех пор разработками в этой области занялись крупные ИТ-компании, например Intel. Однако, как признают инженеры, спиновые транзисторы еще нескоро появятся в потребительских продуктах.
Металл-воздушные транзисторы
По своей сути принципы работы и конструкция металл-воздушного транзистора напоминает транзисторы MOSFET. За некоторыми исключениями: стоком и истоком нового транзистора являются металлические электроды. Затвор устройства расположен под ними и заизолирован оксидной пленкой.
Сток и исток установлены друг от друга на расстоянии тридцати нанометров, что позволяет электронам свободно проходить сквозь воздушное пространство. Обмен заряженными частицами происходит за счет автоэлектронной эмиссии.
Разработкой металл-воздушных транзисторов занимается команда из университета в Мельбурне — RMIT. Инженеры говорят, что технология «вдохнет новую жизнь» в закон Мура и позволит строить целые 3D-сети из транзисторов. Производители чипов смогут перестать заниматься бесконечным уменьшением техпроцессов и займутся формированием компактных 3D-архитектур.
По оценкам разработчиков, рабочая частота транзисторов нового типа превысит сотни гигагерц. Выход технологии в массы расширит возможности вычислительных систем и увеличит производительность серверов в дата-центрах.
Сейчас команда ищет инвесторов, чтобы продолжить свои исследования и разрешить технологические сложности. Электроды стока и истока плавятся под воздействием электрического поля — это снижает производительность транзистора. Недостаток планируют поправить в ближайшие пару лет. После этого инженеры начнут подготовку к выводу продукта на рынок. О чем еще мы пишем в нашем корпоративном блоге:
Сайт установщиков
Жирный шрифт обозначает обратный аналог, например: 2N3903, его аналог КТ645А 2L15B является аналогом КТ937Б
Простая схема замены переменного резистора на две кнопки (КП301, КП304)
Принципиальная схема простого электронного потенциометра, или как заменить переменный резистор с ручкой на две кнопки для регулировки в разных схемах и устройствах. В устройстве использованы полевые транзисторы КП304 или КП301.
Иногда бывает что нужно переделать какой-то регулятор на основе переменных резисторов с вращающимися ручками под цифровое кнопочное управление. Решение такой задачи может быть на основе микроконтроллера, с применением цифровых микросхемам и т.п.
В данной статье описывается простое решение, которое позволит заменить переменный резистор на небольшую схемку с двумя кнопками: «БОЛЬШЕ», «МЕНЬШЕ».
В журнале Радио за 1987 год №11 был описан несложный темброблок на микросхеме, особенностью его было электронное управление тембром при помощи кнопок.
Принципиальная схема
Схема построена на основе полевого транзистора и конденсатора. При помощи кнопок мы управляем степенью заряда конденсатора, напряжение на котором управляет полевым транзистором.
Рис. 1. Схема замены переменного резистора двумя кнопками.
Но тем не менее данное решение может отлично справиться, для примера, с задачей регулировки громкости в простом усилителе.
Детали и конструкция
Полевой транзистор КП304 может быть заменен на транзистор КП301. Внешний вид и цоколевка приведена на рисунке 1. Также очень важно установить в схему правильный конденсатор С12, он должен быть энергоемким, здесь отлично подойдут комбинированные конденсаторы.
Комбинированные конденсаторы общего назначения выполнены в стальных герметичных корпусах (К75-12, К75-24) или же в изоляционном эпоксидном корпусе (К75-47) с номинальной емкостью до 10 мкФ и номинальным напряжением от 400 Вольт до 63 кВольт.
Рис. 2. Внешний вид конденсаторов К75-11.
Внимание! Паять полевой транзистор нужно очень аккуратно, он ботся статического напряжения, а также может выйти из строя в случае перегрева.
В результате получается такой себе электронный переменный резистор с кнопочным управлением. Схема очень простая и начинает работать сразу после включения.
При помощи подстроечного резистора R23 устанавливается нужный порог регулирования, а также начальное значение напряжения на выходе.
АНАЛОГИ ТРАНЗИСТОРОВ ПОЛЕВЫХ
АНАЛОГИ ТРАНЗИСТОРОВ ПОЛЕВЫХ
Мощные полевые транзисторы :
Импортные. Отечественные.
IRFZ10 КП739Б
IRFZ15 КП739В
IRF740 КП740
IRFZ24 КП740А
IRFZ20 КП740Б
IRFZ25 КП740В
IRFZ48 КП741А
IRFZ46 КП741Б
STH75N06 КП742А
STH75N05 КП742Б
IRF510 КП743А
IRF511 КП743Б
IRF512 КП743В
IRF520 КП744А
IRF521 КП744Б
IRF522 КП744В
IRL520 КП744Г
IRF530 КП745А
IRF531 КП745Б
IRF532 КП745В
IRL530 КП745Г
IRF540 КП746А
IRF541 КП746Б
IRF542 КП746В
IRL540 КП746Г
IRFP150 КП747А
IRF610 КП748А
IRF611 КП748Б
IRF612 КП748В
IRF620 КП749А
IRF621 КП749Б
IRF622 КП749В
IRF640 КП750А
IRF641 КП750Б
IRF642 КП750В
IRL640 КП750Г
IRF720 КП751А
IRF721 КП751Б
IRF722 КП751В
IRF730 КП752А
IRF731 КП752Б
IRF732 КП752В
IRF830 КП753А
IRF831 КП753Б
IRF832 КП753В
STP40N10 КП771А
IRF820 КП820
IRF830 КП830
IRF840 КП840
IRF150 КП150
IRF240 КП240
IRF250 КП250
IRF340 КП340
IRF350 КП350
BF410C КП365А
BF960 КП382А
IRF440 КП440
IRF450 КП450
ZVN2120 КП501А
BSS124 КП502
BSS129 КП503
BSS88 КП504
BSS295 КП505
IRF510 КП510
IRF520 КП520
IRF530 КП530
IRF540 КП540
IRF610 КП610
IRF620 КП620
IRF630 КП630
IRF640 КП640
BUZ90 КП707Б1
IRF710 КП710
IRF350 КП717Б
BUZ45 КП718А
IRF453 КП718Е1
IRF720 КП720
BUZ36 КП722А
IRFZ44 КП723А
IRFZ45 КП723Б
IRFZ40 КП723В
IRLZ44 КП723Г
MTP6N60 КП724А
IRF842 КП724Б
TPF450 КП725А
BUZ90A КП726А
BUZ71 КП727А
IRFZ34 КП727Б
IRLZ34 КП727В
BUZ80A КП728А
IRF730 КП730
IRGPH50F КП730А
IRF710 КП731А
IRF711 КП731Б
IRF712 КП731В
IRF630 КП737А
IRF634 КП737Б
IRF635 КП737В
IRFZ14 КП739А
Слабые полевые транзисторы:
Импортные. Отечественные.
U1899E КП329A
2N2841 КП301Г
2N3332 КП301Б
2N3365 КП329A
2N3368 КП329A
2N3369 КП333A
2N3331 КП307B
2N3370 КП329A
2N3436 КП329A
2N3438 КП333A
2N3458 КП333A
2N3459 КП329A
2N3460 КП329A
2N3796 КП303B
2N3797 КП303Г
2N3819 КП307Б
2N3823 КП329A
2N3909 КП301B
2N3971 КП902A
2N3972 КП902A
2N4038 КП329A
2N4091 КП902A
2N4092 КП902A
2N4220 КП329Б
2N4220A КП329Б
2N4221 КП333A
2N4221A КП329A
2N4222A КП329A
2N4224 КП329A
2N4302 КП329Б
2N4303 КП329Б
2N4304 КП329Б
2N4351 КП333A
2N4352 КП304A
2N4360 КП301B
2N4393 КП902A
2N4416A КП329A
2N4860 КП333Б
2N4867 КП333A
2N5078 КП333A
2N5163 КП307Ж
2N5458 КП304A
2N5457 КП307E
2N5459 КП307Б
2N5654 КП329Б
2N6656 КП801Б
2SK11 КП303Д
2SK12 КП303Г
2SK15 КП303Г
2SK68A КП329A
2SK21H КП306A
2SK39 КП350A
BFW11 КП333Б
BF244 КП329А
BF245 КП329А
BF256B КП329А
BF960 КП327А
BF981 КП327Б
BSV79 КП333А
BSV80 КП333А
BUZ20 КП704А
CP652 КП907B
E100 КП333Б
E102 КП333Б
E111 КП329Б
E112 КП333Б
IRF120 КП922Б
MPF103 КП307Б
MPF102 КП303E
M103 КП304A
TIS68 КП307E
UC714 КП329Б
U1897E КП333A
Взаимозаменяемость отечественных транзисторов
Взаимозаменяемость отечественных транзисторов
Приводим транзисторы каждой группы в такой последовательности, что все последующие заменяют все предыдущие. Возможна также обратная замена, но при этом качественные характеристики устройства могут ухудшаться. В скобках указаны транзисторы, снятые с производства.
Высокочастотные германиевые р-п-р транзисторы мжпой мощности: П401, П402, П416, П422, П423, П403, П403А, П423А, ГТ309А-ГТ309Г, ГТ322В-ГТ322Е, ГТ322А, ГТ322Б, ГТ308А, ГТ308В, ГТ313А, ГТ313Б.
Высокочастотные кремниевые п-р-п транзисторы малой мощности: 1$Т301, КТ301А-КТ301В, КТ301Г-КТ301Е, (П501), (П502), (П503), КТ315А-КТ315Г.
Низкочастотные германиевые п-р-п транзисторы малой мощности: (П13), МП39, (П13А), МП39А, (П13Б), МП39Б, (П14), МП40, (П15), МП41, МП41А, (П16), МП42, (П16А), МП42А, (П16Б), МП42Б.
Низкочастотные германиевые п-р-п транз’шггоры малой мощности: (П8), МП35, (П9), МП36, (П10), МП37, (П11), МП38, (П11А), МП38А.
Низкочастотные кремниевые р-л-р транзисторы малой мощности: (П104), МП114, (П105), МП115, (П106), МП116.
Низкочастотные кремниевые п-р-п транзисторы малой мощности: (П101), МП111, (П102), МП112, (П103), МП113.
Низкочастотные германиевые р-п-р транзисторы средней и большой мощное-, ти: ГТ402А, ГТ402Б, (П201), (П201А), (П203), П213А, П213Б, П214В, П214Г.
Низкочастотные германиевые п-р-п транзисторы средней мощности: ГТ404А, ГТ404Б.
Заменяемость отечественных транзисторов старых выпусков на новые
Слева в столбцах даны старые марки транзисторов, справа — новые, которыми
Заменяемость транзисторов
Возможны три метода подбора взаимозаменяемых транзисторов: формальный, творческий и комплексный, являющийся сочетанием первых двух.
Формальный метод заключается в сравнении справочных данных заменяемого транзистора и его возможных аналогов внутри выбранной группы. Основным в этом случае, является то, что заменяющий транзистор не должен уступать заменяемому ни по одному из предельно допустимых параметров (Р.кдоп, Uкэдоп, Iкдоп), а также по величине гарантированных значений статического коэффициента передачи тока h21э и предельной частоте усиления fm или fβ Замена транзисторов с
различными структурами (р-п-р и p-n-p) не рекомендуется, так как в большинстве случаев это потребует дополнительных изменений режимов работы вследствие большого различия в характере зависимости тока коллектора от напряжения смещения.
Радиолюбители, особенно начинающие, могут воспользоваться помещаемой здесь табл. 1, где приведены ряды взаимозаменяемости транзисторов, наиболее широко используемых в радиолюбительских конструкциях. Транзисторы одной группы расположены в ряду в порядке возрастания, то есть улучшения основных параметров, определяющих их усилительные свойства на низких и высоких частотах. В частности, высокочастотные транзисторы расположены в порядке возрастания предельной частоты усиления, а низкочастотные — в порядке возрастания их гарантированного минимального значения коэффициента передачи тока.
Для низкочастотных транзисторов средней мощности, кроме того, учитывается допустимая мощность, рассеиваемая прибором. Обычно мощность последующих порядковых номеров транзисторов выше предыдущих. В скобках указаны транзисторы, снятые с производства, но еще используемые в сравнительно простых радиолюбительских конструкциях.
Творческий метод можно рекомендовать радиолюбителям, имеющим некоторый опыт конструирования транзисторной аппаратуры. В этом случае поиск замены транзисторов ведут в несколько этапов. Сначала по данным условного обозначения прибора определяют все его возможные параметры. Затем по принципиальной схеме узнают структуру транзистора, особенности его работы в определенном каскаде, максимальное напряжение питания. На основе полученных таким образом данных можно, хотя бы приближенно, определить возможные замены.
Покажем это на примере рефлексного приемника 2-V-2 с составным транзистором, схема которого приведена на рис. 1 (описан в Радио, 1975, № 4, с. 48). Приемник собран на транзисторах КТ301Ж (Т1) и КТ301Д (Т2, ТЗ). Если подходить формально, то в первую очередь следует ознакомиться со справочными данными, а затем, сравнивая параметры, подбирать аналоги для каждого транзистора. Творческий подход позволяет радиолюбителю практически сразу установить, что транзисторы, используемые в этом приемнике, кремниевые, маломощные высокочастотные, структуры n-p-n, максимальное напряжение питания 2,5 В.
Характерная особенность этого приемника заключается в том, что транзисторы работают в совмещенных усилительных трактах ВЧ.и НЧ и второй усилительный каскад обоих трактов собран на составном транзисторе Т2ТЗ, Приемник рассчитан на прием программ одной станции, работающей в диапазоне длинных (ДВ) или средних (СВ) волн, где максимальная частота сигнала 1,6 МГц. Учитывая, что для устранения влияния зависимости усилительных свойств транзисторов от частоты сигнала необходимо применять приборы, у которых граничная частота усиления fm по крайней мере в 20— 30 раз выше максимальной частоты усиливаемого сигнала, делаем вывод, что в приемнике возможно использование транзисторов с граничной частотой не ниже 30— 50 МГц. Кроме того, транзистор 77 в первом каскаде должен быть с достаточно большим коэффициентом Лаз. Отсюда делаем вывод о возможной замене: КТЗОЩ (Т1) — транзисторами КТ306Г, КТ307Г, КТ312В, КТ315Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ316Д; КТ301Д (Т2, ТЗ) — транзисторами КТ301А, КТ306Б, КТ306В, КТ306Д, КТ312А, КТ312Б, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г.
Рис. 1. Принципиальная схема рефлексного приемника
Комплексный метод наиболее целесообразный, так как почти исключает ошибочные решения. Формально учитывая сравнимость параметров заменяемых транзисторов и творчески анализируя особенности, и режимы работы устройства, он позволяет найти наилучший вариант замены, практически не ухудшающий характеристики самого устройства. Проиллюстрируем это на следующем примере.
На рис. 2 показана схема трех каскадов одного из каналов малогабаритного стереофонического усилителя, разработанного О. Стрельцовым. Транзисторы T1 и Т2, включенные по схеме с общим эмиттером, образуют предварительный усилитель коррекции сигналов микрофона и магнитного звукоснимателя. При работе от магнитного звукоснимателя резисторы R6 и R7 через контакты переключателя В1а соединены с конденсаторами СЗ и С4, а при работе от микрофона эта цепь разрывается. В результате изменяется частотная характеристика усилителя. Кроме того, при работе от микрофона через контакты переключателя В1б на вход предусилителя включается резистор R1, обеспечивающий стандартную для динамических микрофонов нагрузку сопротивлением 200 Ом.
Рис. 2. Принципиальная схема входных каскадов канала стерео-усилителя
С выхода предусилителя-корректора сигнал подается через контакты переключателя B1d и конденсатор С7 на базу полевого транзистора ТЗ. Обладая большим входным сопротивлением (около 2 МОм), этот каскад может работать и от пьезокерамического звукоснимателя. Тогда его вход соединяется через контакты переключателя с разъемом Ш2, предназначенным для пьезокерамического звукоснимателя. На этот же разъем можно подавать сигналы напряжением около 0,5 В. с линейных выходов микрофонов и приемников. С выхода каскада на полевом транзисторе ТЗ сигнал поступает на регулятор усиления R18, а от него на вход оконечного усилителя.
После публикации описания усилителя радиолюбители просили указать возможную замену транзисторов ГТ310Б и КП101Г.
Подходящими по энергетическим и частотным параметрам заменителями транзистора ГТ310Б могут быть: ГТ305, ГТ309, ГТ313, ГТ308. Уточняя по справочникам предельные эксплуатационные данные и электрические параметры, выбираем транзисторы ГТ305Б, ГТ305В, ГТ309Б. Но в усилителе транзисторы ГТ310Б были применены, по всей вероятности, благодаря малому коэффициенту шума (Fш = 3 дБ). После уточнения в справочнике значения наилучшей заменой оказывается транзистор ГТ305В, затем ГТ309Б и ГТ305Б.
Нужно иметь в виду, что режим работы транзистора входного каскада существенно влияет на работу всего устройства. Поэтому при замене приборов напряжение на выходе каскада должно остаться неизменным. Данное условие может потребовать коррекции сопротивления резистора R17 в цепи истока полевого транзистора.
Некоторые трудности взаимной замены полевых транзисторов заключаются в разнообразии технологии их изготовления, в результате чего наблюдается несовместимость свойств транзисторов разных групп.
Можно воспользоваться табл. 2, в которой показаны ряды последовательной замены полевых транзисторов внутри каждой группы, что может потребовать лишь коррекции режима работы. Замена транзисторов между различными группами уже обусловливает либо изменение полярности напряжения питания, либо пересчета (подбора) деталей цепей смещения.
При замене полевого транзистора необходимо в первую очередь исходить из того, что заменяющий транзистор должен иметь возможно близкие значения двух параметров: тока стока при напряжении смещения между затвором и истоком, равном нулю, и напряжения отсечки — напряжения между затвором и истоком, при котором транзистор закрывается и сила тока стока не превышает 10 мкА. Это позволяет практически исключить необходимость коррекции режима работы по постоянному току. Усилительные свойства каскада на полевом транзисторе будут зависеть уже только от крутизны его характеристики и предельной частоты транзистора.
Транзистор КП101Г, используемый в третьем каскаде малогабаритного стереоусилителя, имеет силу тока стока не более 1 мА и напряжение отсечки не более 5 В. Этим исходным данным близки полевые транзисторы КП102Е, КП102Ж, КП103Е, КП103Ж. Небольшое различие, обусловленное разбросом параметров, все же есть, но замена вполне возможна. Причем заменяющие транзисторы обладают несколько большей крутизной характеристики, что способствует некоторому улучшению работы каскада, в частности, повышению усиления примерно в полтора раза.
Рассмотрим другой, более сложный пример замены полевых транзисторов—в стереофоническом усилителе, описываемом в этом сборнике на с. 38. В первых двух каскадах обоих каналов усилителя работают полевые транзисторы КШОЗЖ (Т1) и КП103КР (Т2). Использование таких транзисторов обусловлено желанием обеспечить относительно большое входное сопротивление каскадов (не менее сотен килоом), что необходимо для согласования входа усилителя с высокоомным выходом пьезокерамической головки звукоснимателя и нормальной работы регулятора тембра при малом уровне собственных шумов усилителя. В данном случае транзистор КШОЗЖ могут заменить аналогичные ему транзисторы КП102Ж, КШ02И, КП101Г, а КП103КР — транзистор КП102Л.
В том случае, если полевых транзисторов нет, заменить их можно биполярными транзисторами, включенными по схеме составного эмиттерного повторителя или каскада с разделенной нагрузкой. При этом с целью значительного увеличения входного сопротивления каскадов необходимо применять дополнительную компенсацию тока, потребляемого входной цепью. На рис. 3, а показана, схема каскада на биполярных транзисторах, заменяющего полевой транзистор КШОЗЖ. На ней все дополнительные детали имеют римские цифровые индексы, а буквами 3, С а И обозначены проводники, соответствующие выводам затвора, стока и истока полевого транзистора. В таком каскаде можно использовать два малошумящих транзистора МП27, транзисторы ГТ309, ГТ310, ГТ322 с любыми буквенными индексами или, в крайнем случае, транзисторы МП39Б. Режим работы по постоянному току корректируют подбором резистора R11.
Рис. 3. Принципиальные схемы каскадов на биполярных транзисторах, заменяющих полевые
На рис. 3, б приведена схема каскада, заменяющего полевой транзистор КШОЗКР. В нем работают такие же биполярные транзисторы, как в предыдущем случае. Но этот каскад с разделенной нагрузкой: резистор R12 включен в цепь стока, a R13— в цепь истока заменителя полевого транзистора. Выходное напряжение снимается со стока, а резистор в цепи истока создает отрицательную обратную связь по напряжению, необходимую для повышения входного сопротивления каскада. Режим работы по постоянному току устанавливают подбором резистора R1. Входное сопротивление можно изменять подбором резистора R13.
Следует, однако, отметить, что замена полевых транзисторов биполярными все же несколько ухудшает работу усилителей НЧ, так как при этом возрастают нелинейные искажения и, кроме того, в большей степени сказываются внутренние шумы транзисторов.
В тех случаях когда необходимо произвести замену транзисторов, работающих в портативных радиовещательных приемниках, рекомендуем воспользоваться табл. 3. В ней обобщены сведения о транзисторах, применяемых в каскадах приемников различной степени сложности с учетом их возможной взаимозаменяемости. Например, если преобразователь частоты приемника AM диапазонов ДВ, СВ, KB выполнен на транзисторе П423, тогда, согласно табл. 3, возможна замена его транзисторами ГТ322Б, ГТ322В, ГТ309А, ГТ309Б, П422.
При выборе того или иного заменяющего транзистора необходимо учитывать не только электрические параметры, но и их конструктивные особенности. Так, в микроприемниках целесообразно применять микротранзисторы ГТ309, тогда как в переносных приемниках можно использовать высокочастотные транзисторы П423.ГТ322.